光刻膠粘附力對MEMS工藝影響--HMDS處理設備

  在MEMS產(chǎn)品的研發(fā)過程中，在PZ層去膠之后發(fā)現(xiàn)有嚴重的側(cè)向腐蝕現(xiàn)象。這種現(xiàn)象可以直接從顯微鏡目檢中檢查出，而且在整個晶圓的表面呈現(xiàn)無規(guī)則的分布。同一批次的產(chǎn)品都會出現(xiàn)這種過腐蝕現(xiàn)象，同一片產(chǎn)品內(nèi)部整個表面都存在這種過腐蝕現(xiàn)象，而并不是在晶圓的某些特殊區(qū)域或者特殊圖形出現(xiàn)。

  同樣，光刻膠的烘烤的溫度和時間，也不僅僅影響到光刻膠的黏附性問題，也會影響到光刻膠的形貌、光刻膠曝光能量等工藝參數(shù)。涂膠前處理的HMDS預處理只會影響到光刻膠與襯底之間的黏附性，對其他工藝參數(shù)的影響十分微小，這對于改善光刻膠與襯底之間的黏附性問題，是十分有利的。

  首先介紹一下HMDS涂布的原理，常用的黏附劑是六甲基二硅胺烷(HMDS)。在提升光刻膠的黏附性工藝中，實際上六甲基二硅烷并不是作為粘結(jié)劑所產(chǎn)生作用的，而是，HMDS改變了襯底的界面結(jié)構(gòu)，從而使晶圓的性質(zhì)由親水性表面轉(zhuǎn)變?yōu)槭杷员砻妗?/span>

  HMDS處理設備是采用蒸汽涂布的方式。簡單評價晶圓的表面黏附性好壞，可以將晶圓進行HMDS涂布，然后在晶圓的表面滴一滴水珠，然后通過測量水珠的接觸角，來進行晶圓表面黏附性好壞的判斷。當接觸角角度越大，說明黏附性越好，也就意味著疏水性越強。光刻膠與晶圓表面之間的黏附性問題，除了受到分子鍵合的影響，還受到其他重要因素的影響。如表面的水分就是其中的主要因素，會減少黏附性，從而造成掀膠和側(cè)向腐蝕。HMDS涂布是涂膠前對硅片表面進行處理，可以增加硅片表面水分子的接觸角，使硅片表面從親水性轉(zhuǎn)化為疏水性。

  結(jié)果表明HMDS處理設備的涂布時間是對接觸角角度的最主要的影響因素，但是涂布時間對于接觸角的影響并不是持續(xù)線性的，當涂布時間在55秒附近就會達到它的飽和點。為了達到接觸角角度最大，設備產(chǎn)能利用的平衡點(HMDS涂布單元時間過長，會變成設備的瓶頸單元，導致設備產(chǎn)能減少，從而相應的增加產(chǎn)品的生產(chǎn)成本)，將HMDS涂布時間設置在一定值內(nèi)。另一方面對于HMDS涂布的溫度來說，實驗結(jié)果與我們所預期的結(jié)果也是*一致的，當溫度在某一高溫值的時候，接觸角的角度達到了峰值，當溫度繼續(xù)升高的話，反而會降低接觸角的角度。

智能型HMDS真空系統(tǒng)

智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）用途：

   在半導體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS氣相沉積至半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?/span>其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。

智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）特點：

HMDS 藥液泄漏報警提示功能

HMDS低液位報警提示功能

工藝數(shù)據(jù)記錄功能

藥液管道預熱功能

智能型HMDS真空系統(tǒng)（JS-HMDS90-AI）技術(shù)性能：

無油渦旋真空泵